Renesas применила технологию 16nm FinFET при изготовлении памяти SRAM

18.12.2014

Renesas применила технологию 16nm FinFET при изготовлении памяти SRAM

Компания Renesas Electronics объявила о создании новых микрочипов памяти SRAM, рассчитанных на использование в автомобильной сфере.
SRAM — статическая память с произвольным доступом, применяющаяся в микроконтроллерах и ПЛИС, в которых объём ОЗУ невелик, но требуется низкое энергопотребление. Преимуществом SRAM является то, что доступ к любой ячейке памяти в любой момент занимает одно и то же время. При этом микросхемы SRAM являются энергозависимыми.
Новые чипы SRAM, созданные специалистами Renesas, будут производиться по 16-нанометровой технологии с применением транзисторов с объёмной структурой FinFET. Благодаря использованию FinFET-совместимой схемотехники, удалось добиться высокого быстродействия при низком энергопотреблении.

Новые микрочипы функционируют при напряжении питания 0,7 В, а заявленное время отклика составляет 641 пикосекунду.
SRAM-чипы, выполненные по методике 16nm FinFET, будут применяться в качестве кеша в процессорных ядрах и блоках обработки изображений в автомобильных навигаторах нового поколения, бортовых информационно-развлекательных комплексах и системах анализа информации от датчиков и камер. 
Источник новости: http://www.3dnews.ru/906866

+7 (347) 293-4-800 - Интернет магазин

+7 (347) 2912-112 - Телефон офиса
+7 (347) 2912-712 - Сервисный центр

Все права защищены. Использование материалов и графики с сайта без согласования с администрацией компании Кламас запрещено.
Контактная информация

developed by Stanislav Yakubenko